SENSOR GAS BERBASIS FILM TIPIS DENGAN KONFIGURASI TRANSISTOR EFEK MEDAN (FET) UNTUK DETEKSI GAS CO

Sujarwata Sujarwata, Putut Marwoto

Abstract


Pembuatan dan karakterisasi Transistor Efek Medan (FET) berbasis film tipis dengan struktur bottom-contact dan panjang channel 100 ?m untuk aplikasi sensor gas. Pembuatan FET dengan cara: permulaan dilakukan pencucian substrat Si/SiO 2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner, kemudian dilakukan pendeposisian elektroda source/ drain dengan metode penguapan hampa udara dan teknik lithography. Selanjutnya dilakukan deposisi film tipis CuPc diantara source/drain sebagai panjang channel dan elektrode gate. Karakteristik FET, untuk daerah aktif untuk V DS (2,80 s/d 3,42) V dan kuat arus I (0,00095 s/d 0,00169) A. FET akan aktif beroperasi hanya diperlukan tegangan V DS (2,79 V s/d 3,43 V) dan dengan ukuran sangat kecil ( 1,5 mm x 3,1 mm ) serta jarak antara S ke D adalah 100 ?m. Aplikasi sensor gas telah dilakukan untuk mendeteksi gas CO, diperoleh hasil untuk response time 90 detik dan recovery time 120 detik. DS

Keywords


deposisi, film tipis, channel, sensor gas, FET

Full Text: PDF

DOI: 10.15294/sainteknol.v11i2.5578

Refbacks

  • There are currently no refbacks.