MODIFIKASI MODEL THERMALLY PADA HEAT ASSISTED MAGNETISASI REVERSAL NANO PARTIKEL MAGNETIK
(1) Prodi Fisika Fakultas Pascasarjana Universitas Sebelas Maret Surakarta, Indonesia
(2) Prodi Fisika Fakultas Pascasarjana Universitas Sebelas Maret Surakarta, Indonesia
(3) Prodi Fisika Fakultas Pascasarjana Universitas Sebelas Maret Surakarta, Indonesia
Abstract
Modifikasi skema mekanisme Heat Assisted Magnetic Recording (HAMR) adalah sistem magnetisasi berbantukan panas untuk menurunkan medan switching telah dilakukan. Bahan magnetik dengan anisotropi tegak lurus tinggi yaitu CoPtCr ditinjau sebagai cell memori pada sistem Hard Disk Drive (HDD). Penyelesaian persamaan Landau-Lifshitz-Gilbert dalam program simulasi mikromagnetik digunakan untuk menghitung medan switching pada beragam modifikasi skema HAMR. Tiga skema modifikasi HAMR diusulkan berdasar pada pola penulisan data pada suhu tinggi (yaitu mendekati suhu Curie). Hasil simulasi memperlihatkan bahwa penulisan data pada medan konstan membutuhkan medan switching terendah. Selebihnya, fluktuasi medan switching akibat modifikasi efek panas relatif kecil dibandingkan dua skema lainnya.
The modification of Heat Assisted Magnetic Recording (HAMR) mechanism scheme i.e. the heat-assisted magnetization to reduce the switching field has been done.<0} {0>Bahan magnetik dengan anisotropi tegaklurus tinggi yaitu CoPtCr ditinjau sebagai cell memori pada sistem Hard Disk Drive (HDD).<}0{>Magnetic meterial with high right-corner anisotropy i.e. CoPtCr has been reviewed as memory cell in a Hard Disk Drive (HDD) system.<0} {0>Penyelesaian persamaan Landau-Lifshitz-Gilbert dalam program simulasi mikromagnetik digunakan untuk menghitung medan switching pada beragam modifikasi skema HAMR.<}0{>The completion Landau-Lifshitz-Gilbert equation in a micromagnetic simulation program is used to calculate tyhe switching field in various HAMR scheme modifications.<0} {0>Tiga skema modifikasi HAMR diusulkan berdasar pada pola penulisan data pada suhu tinggi (yaitu mendekati suhu Curie).<}0{>Three HAMR scheme modifications is proposed based on data writing pattern at high temperature (i.e. close to Curie temperature).<0} {0>Hasil simulasi memperlihatkan bahwa penulisan data pada medan konstan membutuhkan medan switching terendah.<}0{>Simulation result showed that data writing in a constant field needs lowest switching field.<0} {0>Selebihnya, fluktuasi medan switching akibat modifikasi efek panas relatif kecil dibandingkan dua skema lainnya.<}0{>Moreover, switching field fluctuation caused by the modification of heat effect is the lowest compared to other schemes.<0}
Keywords
Full Text:
PDFReferences
Brown Jr WF. 1963. Thermal Fluctuations of a Single-Domain Particle. Phys.Rev. 130: 1677
Huang L, Stipe B, Staffaroni M, Juang J-Y, Hirano T, Schreck E & Huang F-Y. 2013. HAMR Thermal Modeling Including Media Hot Spot. IEEE Trans. Magn. 49: 2565
Killic U, Finocchio G, Hauet T, Florey S H, Aktas G, & Oyataz O. 2012. Magnetic switching driven by nanosecond scale heat and magnetic field pulses: An application of macrospin Landau-Lifshitz-Bloch model. Appl Phys. Letters 101: 252407
Li D, Staffaroni M, Schreck E & Stipe B. 2013. Stochastic effect on thermally magnetization reversal in Pico second ordering process. IEEE Trans.Magn.49
Mansuripur M & Connel G. 1984. Energetics of domain formation in thermomagnetic recording. J. Appl. Phys 55: 3049
Ozatay O, Hauet T, Florez S H, Katine J A, Moser A, Thiele J-U, Folks L & Terris BD. 2009. Probing Activation Energy Barrier For Reversal of Strongly Exchange-Coupled Magnetic Multilayer Thin Films. Appl Phys. Letters 95: 172502
Victora R H & Huang P-W. 2013 IEEE Trans.Magn. 49751
Refbacks
- There are currently no refbacks.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.