STUDI PENUMBUHAN FILM TIPIS CUPC DENGAN METODE PENGUAPAN HAMPA UDARA PADA SUHU RUANG UNTUK APLIKASI SENSOR GAS

- Sujarwata, Kuwat Triyana

Abstract


Penumbuhan film tipis CuPc di atas substrat SiO2 dengan metodepenguapan hampa udara (Model JEOL JEE-4X) telah dilaksanakan. Aktivitas inimerupakan langkah awal untuk mengembangkan sensor gas berbasis CuPc.Penumbuhan film tipis CuPc dilakukan dengan 2 variabel penelitian, yaitu waktudeposisi dan kuat arus pada alat vacuum evaporator. Karakteristik film tipis CuPctelah dianalisis didasarkan pada struktur mikro dengan menggunakan X-RayDiffraction (X-RD) and Scanning Electron Microscopy (SEM). Selanjutnya hasil XRDuntuk masing-masing sample telah dianalisis oleh ICDD ((International Centrefor Diffraction Data). Pada sisi lain, permukaan dan ketebalan film tipis CuPcdianalisis dengan gambar hasil dari SEM. Hasil spektrum dari X-RD diperoleh bahwafilm CuPc dideposisikan dengan kuat arus 35 A – 50 A menunjukkan adanyapeningkatkan kristal dalam film tipis CuPc.Ketebalan film tipis CuPc yangdideposisikan dengan pengaturan kuat arus 40 A, 45 A dan 50 adalah berturut-turut2,1 μm, 2,4 μm dan 4,8 μm. Film tipis CuPc yang didasarkan pada hasil deposisidapat dikatakan bahwa film dengan pengaturan kuat arus 45 A pada alat penguapanhampa udara merupakan karakteritik optimum pertama . Kesimpulan yang diperolehadalah film tipis CuPc dengan ketebalan akan meningkat, jika kuat arus yangdiaplikasikan pada alat penguapan ruang hampa juga ditingkatkan.Pembuatan OFETberbasis CuPc dilakukan dengan membuat struktur bottom-contact. Proses diawalidengan pencucian substrat Si/SiO2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner. Untukstruktur bottom-contact, setelah dilakukan pencucian substrat selanjutnyamendeposisikan elektroda source/drain di atas lapisan SiO2 menggunakan bahanemas murni dengan metode lithography.

Kata kunci : Copper Phthalocyanine(CuPc), film tipis CuPc, vacuum evaporator


Full Text: PDF

DOI: 10.15294/sainteknol.v8i2.322

Refbacks

  • There are currently no refbacks.