Alat Deteksi Gas Buang Kendaraan Bermotor Berstruktur Transistor Efek Medan
(1) Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Negeri Semarang, Indonesia Jl. Raya Sekaran Gunungpati-Semarang 50229
Abstract
Fabrikasi alat deteksi berstruktur FET menggunakan metode vakum evaporasi (VE), sedangkan proses perencanaan dengan teknik lithography. Tahapan pembuatan sensor gas sebagai berikut: permulaan dilakukan pencucian substrat Si/ SiO2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner, kemudian dilakukan deposisi elektroda source dan drain di atas substrat, deposisi lapisan aktif diantara source/ drain dan diakhiri dengan deposisi gate. Hasil karakterisasi I-V menunjukkan arus yang mengalis dari drain menuju source (IDS)dipengaruhi oleh adanya perubahan tegangan gate (VG). Tegangan VGsemakin besar maka IDS yang dihasilkan semakin meningkat. Karakterisasi alat deteksi diperoleh bahwa daerah aktif untuk VD adalah 2,79 V - 3,43 V dan arus ID 1,49 10-4 A - 1,49 10-4 A. Sedangkan daerah saturasi FET pada tegangan VD dari 3,43 V - 9 V dan ini merupakan daerah cut off. Pengujian kelayakan alat deteksi adalah menentukan: waktu tanggap (response time)dan waktu pemulihan(recovery time ). Waktu tanggap sensor terhadap gas buang kendaraan bermotor,dan COberturut-turut: 135 s. Sedangkan waktu pemulihan adalah 150 s.
Keywords
Full Text:
PDFReferences
Ambily, S. and Menon, C.S., 1999, The Effect of Growth Parameter on the Electrical, Optical and Structural Properties of Copper Phthalocyanine Thin Film,Thin Solid Film 374, 284-288
Chadwick,A.V, Dunning,P.B.M and Wright,J.D,1986, Application of organic solids to chemical sensing.Mol.Crys,Liq. Crys, 134, 137-153.
Dimitrakopoulos, C.D And J. Mascaro,D.J., 2001, Organic thin-film transistors: A review of recent advances, IBM J. Res. & Dev., 45, 11.Dogo,S.,Blanc,J.P. C.
Dogo, S., Blanc, J.P., Maleysson, C. and Pauly, A., (1992) ,Interaction of NO~ with copper phthalocyanine thin films. 11: Application to gas sensing, Thin Solid Films, 219 (1992) 251.
Maleysson and Pauly,A, 1992 , Interaction of NO~ with copper phthalocyanine thin films. 11: Application to gas sensing, Thin Solid Films, 219 (1992) 251.
Henning Rost, Jürgen Ficker, Juan Sanchez Alonso, Luc Leenders, Iain McCulloch, 2004, Air- stable all-polymer field-effect transistors with organic electrodes, Synthetic Metals 145, 83–85. Electron,7(1964)(423-430)
Ihamtola, H.K.J. and Moll,J.L.,1964, Design Theory of a Surface Field Effect Transisitor, Solid State Electron.7(1964)(423-430)
Kennedy,D.P. and Murley,P.C.,1973,Steady State Mathematical Theory for the Insulated Gate Field Effect Transisitor,IBMJ Res.Dev,17(1)(1973).1-11
Leznoff, A.B.P. Lever,1989, Phthalocyanines, Properties and Applications 1–3 VCH
Law,K.Y.,1993, Organic photoconductive materials — recent trends and developments, Chem. Rev. 93_1993.449–486.
Mirwa,A., Friedrich,M, Hofman,A, 1995, Sensors and Actuator B24-25,596
M. Martin,M, J.J. Andre, J. Simon, 1981,Organic solar-cells based on
metallophthalocyanine semiconductors, Nouv. J. Chim. 5- 485–490.
Newton, M.I., Strarke, T.K.H., Mr. Willis, G. Mc Hale, 2000, NO2 detection at room Temperatur with copper phthalocyanine thin film devices,Sensor and Actuators B 67_ 307-311
Puigdollers, J., Voz, C, Fonrodona, M., Cheylan,S., Stella, M., Andreu, J., Vetter, M., Alcubilla, R ., 2006, Copper phthalocyanine thin-film transistors with polymeric gate dielectric, Journal of Non-Crystalline Solids 352 (2006) 1778–1782
Radhakrishnan, S. and Deshpande, S.D., 2002, Conducting Polymers Functionalized with Phthalocyanine as Nitrogen Dioxide Sensors,Sensor, 2,185-194
Whitlock,J.B., Panayotatos, Sharma, G.D., Cox, M.D. , Sauers, R.R. , Bird, G.R. 1993. Investigations of materials and device structures fororganic semiconductor solar-cells, Opt. Eng. 32_1993.1921–1934.
Zhou, R., Josse, F., Göpel, W., öztürk, Z.Z. and ö.Bekaroglu, 1996, Phthalocyanine as sensitiv material for chemical sensors, Applied Organometallic Chemistry, Vol.10,557 – 577
Refbacks
- There are currently no refbacks.
 This work is licensed under a Creative Commons Attribution 3.0 License. View My Stats