PENGARUH KONDISI PENUMBUHAN PADA SIFAT FISIS FILM TIPIS GA2O3 DENGAN DOPING ZNO

Abstract

Telah dapat ditumbuhkan film tipis Ga2O3:ZnO di atas substrat silikonmenggunakan dc magnetron sputtering (home made). Parameter deposisi yangdivariasikan dalam pembuatan film tipis Ga2O3:ZnO adalah daya plasma. Prosespenumbuhan dilakukan selama 3 jam. Struktur film dipelajari dengan menggunakandifraksi sinar X (XRD) dan SEM. Hasil difraktogram XRD dibandingkan dengandata JCPDS untuk mengidentifikasi struktur kristal yang tumbuh. Film tipis yangditumbuhkan dengan daya plasma 20,15 W dan 24,10 W teramati puncak difraksibersesuaian dengan orientasi bidang (201) yang menunjukkan lapisan tipisGa2O3:ZnO memiliki struktur monoklinik dan intensitas tertinggi bersesuaian denganorientasi bidang (400) pada fase kubik. Pada citra SEM dengan perbesaran 10.000kali teramati bahwa film yang ditumbuhkan dengan daya plasma 20,15 Wmempunyai morfologi yang lebih rata. Kondisi tersebut dikarenakan atom-atom yangmenempel pada substrat ada yang terlepas terlebih dahulu sebelum datang atom-atomyang tersputter dari target. Hal ini sebagai konsekuensi laju atom yang menujusubstrat relatif rendah karena ditumbuhkan pada daya plasma yang juga relatifrendah.

Kata kunci: Ga2O3:ZnO, daya plasma, XRD, SEM, dc magnetron sputtering.