Rekayasa Nilai Celah Pita Boron Nitride Nanotube melalui Enkapsulasi Logam Ni dan Co

  • Yuniar Firgin Nakiyatul Khotto Universitas Negeri Semarang
  • Kasmui Kasmui

Abstract

Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh enkapsulasi logam Ni maupun logam Co terhadap celah pita dan kestabilan struktur BNNT. Penelitian ini dilakukan dengan metode DFT menggunakan software Gaussian 09W dan Gaussview 5.0.8 dan hasilnya dianalisis menggunakan software Gaussum 3.0 Penelitian ini dilakukan menggunakan BNNT4,4 dan BNNT5,0 dengan basis set 631G. Perhitungan menunjukkan celah pita dari BNNT4,4,BNNT4,4-Co dan BNNT4,4-Ni serta BNNT5,0 ,BNNT5,0-Ni dan BNNT5,0-Co mengalami penurunan nilai celah pita dengan nilai 5,31 eV; 1,445 eV dan 1,74 eV serta 3,39 eV; 1,70 eV dan 1,475 eV. Hal ini dikarenakan resitivitas listrik dari logam Co lebih kecil daripada logam Ni, semakin kecil resitivitas listrik dari logam yang dienkapsulasi maka semakin besar pula penurunan nilai celah pita yang didapatkan. Nilai resitivitas listrik dari logam Co dan Ni adalah 62,4 nΩm dan 69,3 nΩm. Dari Penelitian ini dapat disimpulkan bahwa enkapsulasi Co dan Ni pada BNNT4,4 dan BNNT5,0 dapat menurunkan nilai celah pita dari BNNT4,4 murni.

 

Published
2018-09-01
How to Cite
Khotto, Y., & Kasmui, K. (2018). Rekayasa Nilai Celah Pita Boron Nitride Nanotube melalui Enkapsulasi Logam Ni dan Co. Indonesian Journal of Chemical Science, 7(2), 182-186. Retrieved from https://journal.unnes.ac.id/sju/index.php/ijcs/article/view/21860
Section
Articles

Most read articles by the same author(s)

1 2 > >>